宏观经济趋势分析 中微半导体恳求一种刻蚀开发过甚衬底惩处系统和器件制备要领专利, 减少出产参预成本

金融界2025年2月22日音书，国度学问产权局信息表露，中微半导体开发（上海）股份有限公司恳求一项名为“一种刻蚀开发过甚衬底惩处系统和器件制备要领”的专利，公开号CN119495544A，恳求日历为2023年8月。

专利纲领表露，本发明公开了一种刻蚀开发过甚衬底惩处系统和器件制备要领，该刻蚀开发用于在衬底名义酿成阻遏槽，其包含：刻蚀腔，其腔体上开设灵验于运送刻蚀气体的输气口；位于刻蚀腔里面用于承载衬底的基座；掩膜板，其位于输气口与基座之间，掩膜板与基座之间的距离可调；其中，掩膜板包含：撑合手板，其开设有多个第一气体通说念；弹性介质层，其位于撑合手板底部，撑合手板底部成立有多个弹性介质层掩盖区以及位于不同弹性介质层掩盖区之间的多条第二气体通说念，多个第一气体通说念与第二气体通说念连通并共同构成刻蚀气体扩散通说念。其优点是：该刻蚀开发将可相对转移的掩膜板和基座相蚁集，简化了衬底惩处的法子，无需非凡加多掩膜和开发，减少了出产参预成本。

天眼查贵寓表露，中微半导体开发（上海）股份有限公司，缔造于2004年，位于上海市，是一家以从事打算机、通讯和其他电子开发制造业为主的企业。企业注册本钱62236.3735万东说念主民币，实缴本钱61927.9423万东说念主民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体开发（上海）股份有限公司共对外投资了27家企业，参与招投标款式65次，学问产权方面有商标信息72条，专利信息1454条，此外企业还领有行政许可71个。

本文源自：金融界